半导体机械专业题汇总，半导体晶圆101个题

对于一些半导体晶圆101个题的相关话题，以及半导体机械专业题汇总的题，想必很多人都想知道，下来听小编介绍。

1什么是PIE？它的主要任务是什么？

工艺集成工程师的主要任务是整合各部门资源，不断改进工艺，保证产品良率稳定良好。

2200mm和300mm晶圆是什么意思？

8英寸硅片的直径为200毫米，300毫米硅片的直径为12英寸。

3.中芯现有的三个工厂目前使用了多少毫米硅片工艺？北京Fab4Factory4未来将采用什么毫米晶圆技术？

目前1~3号工厂均采用200mm8英寸晶圆，工艺水平已达到013um工艺。未来，北京工厂的工艺晶圆将采用300mm12英寸。

4为什么需要300mm？

随着晶圆尺寸的增大，单片晶圆上的芯片数量增加，单位成本降低。

200300面积增加了225倍，芯片数量也增加了约25倍。

5所谓013um制程能力技术是什么意思？

这意味着工厂的工艺能力可以达到013um的栅极线宽。如果栅极线宽度减小，则整个器件变得更小，并且运行速度变得更快。

6035um->025um->018um->015um->013um的技术变化是什么意思？

栅线宽度越小，工艺难度越高。035um->025um->018um->015um->013um代表各阶段工艺能力的提升。

7一般硅片基板可分为两种类型N型和P型。什么是N型晶圆和P型晶圆？

N型硅片是指掺杂P、As等负电元素和五价带电元素的硅片，P型硅片是指掺杂B、As等三价带电元素的硅片。在。

8工厂制造硅片的流程可以分为哪些流程模块？

主要有四个部分DIFF、TFfilm、PHOTO、ETCH。其中，DIFF还包括FURNACE炉管、WET湿法刻蚀、IMP离子注入和RTP快速热处理。TF包括PVD物理气相沉积、CVD化学气相沉积、CMP化学机械抛光。硅片的制造是一个根据客户要求在多道工序之间不断迭代的生产过程，最后通过电气测试来确保产品的良好。

9一般硅片制造中，硅片工艺长度常以P、M数和掩膜层数来表示，P、M数和掩膜层数是什么意思？

制造硅片时使用的多晶硅的层数和金属金属线的层数是多少P、多少M。通常，015um逻辑产品为1P6M，具有1层多晶硅和6层金属。和

光掩模层的数量决定了硅晶圆必须经过的光刻次数。

10晶圆下线的第一步是形成StartOxide和ZeroLayer，StartOxide的作用是什么？

我们不希望含有有机成分的光刻胶直接与Si表面接触。

也可以避免激光雕刻过程中产生的灰尘污染。

11为什么需要零层？

芯片工艺由多个不同层堆叠在一起组成，零层作为各层之间的对齐基准。

12激光打标的目的是什么？晶圆ID是什么意思？

激光标记用于雕刻晶圆ID。晶圆ID就像硅晶圆的。ID表示硅晶片片的身份。

13.典型的硅晶圆制造晶圆工艺的主要部分是什么？

初步阶段——这是零件和装置的制造过程。

后部-金属线的连接及外部

14传输过程大致可以分为以下几个部分

STI的形成定义了AA区与器件之间的隔离。

离子注入到阱区以调整电特性

栅极多晶硅栅极的形成

源极/漏极形成

硅化物自对准硅化物的形成

15STI代表什么？为什么我们需要STI？

STI:浅沟槽隔离STI可以用作两个组件之间的屏障，以防止它们之间发生短路。

16AA代表哪两个词？请简单说明一下AA的使用。

有源区或有源区用于构建晶体管主体的位置，其中形成源极、漏极和栅极。两个AA区域被STI分开。

17STI刻蚀过程中需要注意哪些工艺参数？

STI蚀刻角度；

STI蚀刻深度；

STI蚀刻后CD尺寸调整。

CD控制，CD=临界尺寸

18LinerOxide存在于STI形成阶段，LinerOxide有什么特点和作用？

内衬氧化是高温炉管经1100、120分钟后形成的氧化层，其作用如下。

修复STI蚀刻造成的基材损伤。

倒角应用于STI蚀刻造成的蚀刻锋利边缘。

19一般来说，通过阱区离子注入来调节电性能可以分为三个步骤，它们的作用是什么？

井区的离子注入调节利用离子注入来塑造硅晶圆元件的基本电子特性，通常涉及以下步骤

井注入形成N、P井区。

沟道注入防止源极/漏极之间的泄漏。

Vt植入调整Vt。

20典型的离子注入分级制造工艺可以分为哪些步骤？

一般包括以下步骤

光刻法形成照片和图形；

离子注入调节；

离子注入后等离子除灰

去除光刻胶

21多晶硅栅的形成步骤大致可分为如下

沉积栅氧化栅氧化膜；

多晶薄膜沉积和SiON沉积作为光刻中的减反射层）；

多图形形成照片；

Poly和SiON的蚀刻；

蚀刻后等离子清洗及光刻胶去除灰；

Poly的再氧化。

22刻蚀多晶硅栅时应注意什么？

保利CD尺寸调整；

GateOxie经过蚀刻，防止损坏基板。

23什么是栅氧化层？

作为器件中的介质层，可以利用不同厚度的栅极氧化物来调节栅极电压来开关各种器件。

24Source/Drain源极/漏极的形成步骤可分为以下几个步骤。

LDD离子注入；

间隔物的形成；

N+/P+IMP高浓度源/漏S/D注入和快速退火RTARapidThermalAnneal。

25LDD代表什么以及有什么用途？

LDD:轻掺杂漏极LDD是一种使用较低浓度源/漏电极来防止元件产生热载流子效应的工艺。

26什么是热载流子效应？

当线宽小于05um时，由于源极和漏极之间的高浓度而产生的高电场使载流子在移动时加速，从而产生热载流子效应。栅极氧化，导致元件损坏。

27什么是间隔物，刻蚀间隔物时需要注意什么？

栅极多晶硅两侧的介质侧壁主要由Ox/SiN/Ox组成。刻蚀间隔物时，要注意CD尺寸、轮廓以及剩余氧化层的厚度。

28垫片的主要特点

在高度集中的源极/漏极和栅极之间创建LDD区域。

接触蚀刻时用作栅极保护层。

29为什么离子注入后需要进行热处理热退火工艺

修复离子注入造成的芯片表面损伤；

确保注入的离子扩散到适当的深度。

将注入的离子移动到适当的晶格位置。

30SAB代表什么？其目的是什么？

SAB用于保护硅片表面的Salicideblock在RPOResistProtectOxide的保护下，硅片不会与其他Ti和Co形成硅化物salicide。

31简述SAB流程流程层需要注意的事项。

SAB光刻后，蚀刻出图形。需要覆盖的区域必须被完全覆盖。

残留氧化层残留氧化层的厚度。

32什么是硅化物自对准硅化物？

Si和Ti或Co形成TiSix或CoSix，通常用于降低接触电阻值。

33形成硅化物自对准硅化物的主要步骤是什么？

沉积Co或Ti+TiN；

第一个RTA形成自对准硅化物。

用化学酸除去未反应的CoTi。

第二次RTA用于形成Ti晶相转变，降低电阻。

34MOS器件的主要特点是什么？

开关特性主要是通过栅极电压控制源漏S/D之间的电流来实现的。

35常用哪些参数来评价器件的特性？

主要有Idsat、Ioff、Vt、Vbkbreakdown、Rs、Rc，一般来说Idsat、Vbk击穿值要尽量大，Ioff、Rc尽量小，Vt、Rs要小尽可能接近设计值。

36什么是Idsat？Idsat是什么意思？

饱和电流。换句话说，当栅极电压Vg一定时，源极/漏极之间流过的最大电流为

37制造过程中的哪些流程会影响Idsat？

PolyCD多晶硅尺寸、栅氧化层Thk栅氧化层厚度、AA有源区宽度、Vtimp项、LDDimp项、N+/P+imp项。

38什么是Vt？Vt代表什么？

阈值电压是产生强反转所需的最小电压。当栅极电压Vglt;Vt时，MOS关断，当Vg>=Vt时，源极/漏极之间形成导电沟道，MOS导通。

39制造过程中的哪些过程会影响Vt？

案PolyCD、栅氧化层Thk、栅氧化层厚度、AA有源区宽度和Vtimp项。

40Ioff是什么？让它变小有什么好处？

断态电流，即Vg=0时源极和漏极之间的电流，一般越小越好。较小的Ioff可改善栅极控制，防止不必要的漏电流并节省功耗。

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一、造半导体需要什么机器？

是什么？

光刻。光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻两种，分辨率一般在7纳米到几微米之间。先进的光刻机被认为是最精密的设备，光刻机的成本在100到2亿美元之间。美元。高科技曝光机可以说是现代光学工业的花朵，但其制造难度极高，全只有少数公司（主要是荷兰ASML品牌）可以生产。

二、机械工程与半导体行业，学哪个好？

机械工程是一个很容易找到工作的领域。半导体不是一般人可以做的领域。这非常棘手，需要进行大量测试。机械工程师通常是指在机械行业工作的专家。当大多数人谈论机械工程师时，他们是专业人士，即中级工程师。

此外，还有机械工程师协会的机械工程师认证和机械工程师勘察设计。机械工程师是从事机械工程行业并具有一定经验和水平的人员。机械工程师一般分为三个级别初级机械工程师、中级机械工程师、高级机械工程师。机械工程师一般指机械工程师，也可特指中级机械工程师。

三、大学半导体专业对应的专业？

1.设计可以是电子、美式双工、电子、微电子等。各种芯片类型也使用了一些通信工程。

2.生产研发这是最广泛的专业，可能是物理、化学、材料、微电子，也许更多的是材料和微电子。

3、生产技术主要分为两类技术和设备。工艺专业和RD类似。设备可以是机械的、电子的、自动化的或仪器仪表的。相对而言，机电一体化更适合。